【球盟会】日本半导体逆袭！Rapidus宣布2nm芯片试产成功

摘要

近日日本半导体企业Rapidus正式宣布启动2nm制程晶圆的测试生产，标志着日本在先进芯片制造领域实现重大突破，目标于2027年实现量产，挑战台积电、三星的全球主导地位。

球盟会官网报道

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近日日本半导体企业Rapidus正式宣布启动2nm制程晶圆的测试生产，标志着日本在先进芯片制造领域实现重大突破，目标于2027年实现量产，挑战台积电、三星的全球主导地位。

Rapidus采用全环绕栅极（Gate-All-Around）技术，通过栅极材料包裹晶体管通道，提升电场控制能力。相比7nm芯片，性能提升45%、能耗降低75%，晶体管密度达每平方毫米3.33亿个，与三星持平。引入IBM授权的多阈值电压技术及选择性减少层（SLR）工艺，优化复杂计算下的低电压运行；采用单片晶圆处理策略，实时调整参数提升良率。北海道千岁市IIM-1工厂已安装超200台设备，包括ASML EUV光刻机（型号TWINSCAN NXE:3800E），成为日本首家具备量产级EUV能力的企业。项目获日本政府1.7万亿日元补贴，总投资预计5万亿日元（约340亿美元）。丰田、索尼等8家企业联合注资，并吸引本田、富士通等追加投资。避开台积电主导的大规模标准品市场，聚焦自动驾驶、AI数据中心等专用芯片领域，通过设计制造协同优化（DMCO）缩短交付周期至台积电的1/3。已与博通、Preferred Networks（AI芯片）达成合作，并与英伟达、谷歌等40余家企业洽谈。同步联合西门子开发专用设计套件，加速流片流程。

当前试产良率不足50%，需在2025年底前提升至70%以上以满足客户需求。量产阶段仍需3万亿日元资金，且日本半导体工程师短缺超3.5万人。台积电、三星计划2025年量产2nm，Rapidus量产时间滞后2年，需在2029年前突破1.4nm技术以维持竞争力。此次突破是日本自1980年代失去半导体霸主地位后，首次重返尖端制程竞赛。若量产成功，将重塑全球供应链格局，推动美日技术同盟对抗台积电主导的亚洲供应链，并为汽车电子、AI等产业提供新选择。

半导体分析师指出，日本凭借材料领域优势（信越化学硅片、JSR光刻胶占全球30%-52%份额），若能解决良率与生态协同问题，有望在2nm时代成为“多极竞争”的关键变量。